THÔNG TIN TÓM TẮT VỀ NHỮNG KẾT LUẬN MỚI CỦA LUẬN ÁN TIẾN SĨ
Tên luận án: Nghiên cứu ảnh hưởng của lớp chức năng nano ZnO đến hoạt động của pin mặt trời glass/TCO/nanoZnO/CdS/CuInS/Me lắng đọng bằng phương pháp USPD-ILGAR màng mỏng
Chuyên ngành: Vật lý kỹ thuật Mã số: 62520401
Nghiên cứu sinh: Lưu Thị Lan Anh
Người hướng dẫn khoa học: GS.TS Võ Thạch Sơn
Cơ sở đào tạo: Trường Đại học Bách Khoa Hà Nội
TÓM TẮT KẾT LUẬN MỚI CỦA LUẬN ÁN
1. Lần đầu tiên đã chế tạo thử nghiệm thành công pin mặt trời màng mỏng cấu trúc kiểu Glass/ITO/nanoZnO/CdS/CuInS2/Me bằng phương pháp USPD-ILGAR và đạt được các thông số quang điện sau: Voc=425mV, Jsc = 8,7mA/cm², ff=49,5% và n=1,84%.
2. Lớp cửa sổ ZnO, ZnO:In và ZnO:A1 được lắng đọng bằng phương pháp USPD
3. Lớp đệm CdS được lắng đọng bằng phương pháp USPD-ILGAR
4. Lần đầu tiên, trên cơ sở phương pháp USPD-ILGAR, chúng tôi đã đưa ra mô hình một chiều mô tả các phân biên ZnO/CdS và CdS/CuInS2. Các phân biên ZnO/CdS và CdS/CuInS2 đã được khảo sát bằng phương pháp phổ trở kháng phức CIS và nhận được thông tin hữu ích sau đây:
Phương pháp công nghệ USPD-ILGAR đã cho phép nhận được các phân biên ZnO/CdS và CdS/CuInS2 có tác động gần như tương đương trong hệ vật liệu Glass/ITO/ZnO/CdS/CuInS2/Ag
60nm là giá trị tới hạn của lớp CdS cho phép hình thành chuyển tiếp PN ở phân biên CdS/CuInS2
5. Cấu trúc của lớp nano ZnO đã ảnh hưởng rõ rệt đến phân biên CdS/CuInS2. Nồng độ muối kẽm acetat C₁=0,01M là nồng độ tối ưu để nhận được phân biên ZnO/CdS có ít sai hỏng hóa học hơn cả.
6. Các thông số quang điện của pin mặt trời đã được cải thiện rõ rệt khi sử dụng lớp cửa sổ ZnO cấu trúc nano.
