Luận án Nghiên cứu áp dụng một số phương pháp hạt nhân nguyên tử trong phân tích vật liệu TiO2/SiO2 sử dụng chùm ion từ máy gia tốc Lưu

Luận án Nghiên cứu áp dụng một số phương pháp hạt nhân nguyên tử trong phân tích vật liệu TiO2/SiO2 sử dụng chùm ion từ máy gia tốc

Danh mục: , Người đăng: Liên Kim Nhà xuất bản: Tác giả: Ngôn ngữ: Tiếng Anh, Tiếng Việt Định dạng: , , Lượt xem: 6 lượt Lượt tải: 0 lượt
Tài liệu, tư liệu này được chúng tôi sưu tầm từ nhiều nguồn và được chia sẻ với mục đích tham khảo, các bạn đọc nghiên cứu và muốn trích lục lại nội dung xin hãy liên hệ Tác giả, bản quyền và nội dung tài liệu thuộc về Tác Giả & Cơ sở Giáo dục, Xin cảm ơn !

Nội dung

TRANG THÔNG TIN VỀ NHỮNG ĐÓNG GÓP MỚI CỦA LUẬN ÁN

Tên luận án: Nghiên cứu áp dụng một số phương pháp hạt nhân nguyên tử trong phân tích vật liệu TiO2/SiO2 sử dụng chùm ion từ máy gia tốc

Mã số: 9440106

Chuyên ngành: Vật Lý Nguyên Tử và Hạt Nhân

Họ và tên NCS: Trần Văn Phúc

Khóa đào tạo: 2017

Chức danh, học vị, họ và tên người hướng dẫn:

1. GS.TS. Lê Hồng Khiêm – Viện Vật Lý, VHLKH&CNVN.

2. TS. Miroslaw Kulik – Viện Liên Hiệp Nghiên Cứu Hạt Nhân (JINR), Dubna, Liên Bang Nga.

Tên cơ sở đào tạo: Học Viện Khoa Học và Công Nghệ

Nội dung: nêu ngắn gọn những đóng góp mới về mặt học thuật, lý luận, những luận điểm mới rút ra được từ kết quả nghiên cứu, khảo sát của luận án

1. Trong khi các nghiên cứu về trộn lẫn ion cho cấu trúc hai lớp thường được khảo sát bằng mức biến đổi độ dày của lớp trên, luận án đã tiếp cận nghiên cứu trộn lẫn ion bằng cách tính toán độ dày tương đối của lớp chuyển tiếp giữa hai lớp bằng phương pháp RBS. Từ đó khắc phục được nhược điểm khi dùng FWHM của đỉnh RBS tương ứng với lớp trên trong khảo sát trộn lẫn ion cho cấu trúc oxit/oxit.

2. Luận án đánh giá sơ bộ được biến đổi mức độ trộn lẫn, thành phần hóa học và các hệ số quang gây bởi chùm tia ion. Kết quả cho thấy mức độ trộn lẫn có xu hướng tăng khi tăng khối lượng và năng lượng của ion trong khoảng 100 – 250 keV. Hiện tượng này có sự đóng góp của sự biến đổi về hàm lượng thành phần hóa học của lớp bề mặt sau khi cấy. Trong khi các hệ số quang học cho thấy sự biến đổi không tỉ lệ với năng lượng ion tới.

3. Giải thích cơ chế trộn lẫn và nguyên nhân chính dẫn đến sự biến đổi về mức độ trộn lẫn, hàm hợp chất và các hệ số quang – tương ứng với các thay đổi trong quãng chạy của ion, số lượng ion tương tác và các sai hỏng mạng tỉnh thể gây ra trong vùng chuyển tiếp, đạt được từ mô phỏng SRIM.

Tải tài liệu

1.

Luận án Nghiên cứu áp dụng một số phương pháp hạt nhân nguyên tử trong phân tích vật liệu TiO2/SiO2 sử dụng chùm ion từ máy gia tốc

.zip
11.52 MB

Có thể bạn quan tâm