THÔNG TIN TÓM TẮT VỀ NHỮNG KẾT LUẬN MỚI CỦA LUẬN ÁN TIẾN SĨ
Tên luận án: Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Ngành: Khoa học vật liệu
Nghiên cứu sinh: Trần Thị Ngọc Hoa
Mã số: 9440122
Người hướng dẫn khoa học:
1. PGS.TS. Nguyễn Văn Duy
2. PGS.TS. Đặng Thị Thanh Lê
Cơ sở đào tạo: Trường Đại học Bách khoa Hà Nội
TÓM TẮT KẾT LUẬN MỚI CỦA LUẬN ÁN
1. Chế tạo thành công cảm biến cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và ZnO bằng phương pháp bốc bay nhiệt hai bước. Chiều dày tối ưu của lớp ZnO đạt được ở thời gian mọc 10 phút. Độ đáp ứng với 10 ppm khí NO2 của cảm biến ở nhiệt độ phòng tăng lên 1950 lần. Kết quả này đã được công bố trong kỷ yếu của Hội nghị Vật lý chất rắn và Khoa học vật liệu toàn quốc lần thứ X. [Trần Thị Ngọc Hoa và cộng sự., “Tăng cường tính chất nhạy khi NO, tại nhiệt độ phòng của dây nano cấu trúc SnO2-lõi ZnO-vo”, trang 369-372].
2. Chế tạo thành công cảm biến dây nano SnO: phủ lớp oxit WO3 bằng phương pháp bốc bay nhiệt kết hợp với phương pháp phún xạ một chiều nhằm tăng hiệu quả nhạy khi H2S, Cảm biến với bề dày lớp biển tỉnh WO3 là 5 nm cho độ đáp ứng cao – 177 lần với 1 ppm khí H2S tại nhiệt độ làm việc tốt nhất của cảm biến là 200 °C. Cảm biến cùng cho thấy tỉnh chất chọn lọc của cấu trúc dị thể này với khí H2S. Kết quả này đã được công bố trên bải báo [Tran Thi Ngoc Hoa et.al., “Highly selective H2S gas sensor based on WO3-coated SnO2 nanowires”, Materials Today Communications 26 (2021)102094; IF: 2.678].
3. Biến tỉnh thành công lớp NiO trên bề mặt dây nano SnO2 bằng phương pháp bốc bay chùm điện tử. Đặc tính nhạy khí H2S của cấu trúc dị thể SnO2/NiO đã được cải thiện. Với chiều dày của lớp biến tính NiO là 10 nm cảm biến cho thấy độ đáp ứng tăng cường, cải thiện thời gian đáp ứng, hồi phục và có độ chọn lọc tốt với khí H2S ở nhiệt độ làm việc 200°C. Kết quả đã được công bố trên bài báo [Tran Thi Ngoc Hoa et.al., “Effective HS sensor based on SnO2 nanowires decorated with NiO nanoparticles by electron beam evaporation”, RSC Advances 9 (2019) 13887-13895; IF 2019: 3.119].
4. Chế tạo thành công cảm biến cấu trúc dị thể giữa dây nano SnO2 và Ag2O bằng phương pháp bốc bay nhiệt kết hợp phương pháp nhúng phủ. Cảm biến cho độ đáp ứng cao tới 1155 lần với 1 ppm khí H2S tại nhiệt độ làm việc tốt nhất của cảm biến là 200 °C. Tính chọn lọc đã được thử nghiệm với nồng độ cao của các khí NH3 và H2 ở các nhiệt độ làm việc khác nhau, kết quả cho thấy tiềm năng ứng dụng của cảm biến trong việc kiểm soát khí H2S nồng độ dưới 1 ppm. Kết quả này đã được công bố trên bài báo [Tran Thi Ngoc Hoa et.al., “Dip-coating decoration of Ag2O nanoparticles on SnO2 nanowires for high-performance H.S gas sensors”, RSC Advances 10 (2020) 17713; IF 2019: 3.119].
