Luận án  Nghiên cứu cộng hưởng electron-phonon và cộng hưởng từ-phonon trong giếng lượng tử Lưu

Luận án Nghiên cứu cộng hưởng electron-phonon và cộng hưởng từ-phonon trong giếng lượng tử

Danh mục: , Người đăng: Liên Kim Nhà xuất bản: Tác giả: Ngôn ngữ: Tiếng Việt, Tiếng Anh Định dạng: , Lượt xem: 13 lượt Lượt tải: 0 lượt
Tài liệu, tư liệu này được chúng tôi sưu tầm từ nhiều nguồn và được chia sẻ với mục đích tham khảo, các bạn đọc nghiên cứu và muốn trích lục lại nội dung xin hãy liên hệ Tác giả, bản quyền và nội dung tài liệu thuộc về Tác Giả & Cơ sở Giáo dục, Xin cảm ơn !

Nội dung

THÔNG TIN TÓM TẮT VỀ NHỮNG ĐÓNG GÓP MỚI CỦA LUẬN ÁN

I. Thông tin

Tên đề tài luận án: “Nghiên cứu cộng hưởng electron-phonon và cộng hưởng từ-phonon trong giếng lượng tử”.

Chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán, Mã số: 944 01 03

Họ và tên của nghiên cứu sinh: Phạm Tuấn Vinh

Người hướng dẫn khoa học

1. PGS.TS. Lê Đình,

2. PGS.TS. Lương Văn Tùng

Cơ sở đào tạo: Trường Đại học Sư phạm – Đại học Huế

II. Những đóng góp mới của luận án

Luận án đã nghiên cứu về hai hiệu ứng cộng hưởng electron-phonon và cộng hưởng từ-phonon tuyến tính và phi tuyến trong mô hình giếng lượng tử với hai thế giam giữ khác nhau (thế tam giác và thế hyperbol bất đối xứng đặc biệt) trong trường hợp có và không có mặt của từ trường do tương tác electron-phonon quang dọc bằng hai phương pháp (phương pháp chiếu toán tử và phương pháp hàm Green). Các kết quả chính của luận án cho thấy rằng:

1. Công suất và hệ số hấp thụ cũng như độ rộng vạch phổ tuyến tính và phi tuyến đều phụ thuộc mạnh vào các thông số đặc trưng của mô hình thế giam giữ, vào trường ngoài và vào điều kiện vật lý khi hệ được đặt trong điện trường ngoài xoay chiều cao tần và từ trường tĩnh. Với kết quả này, ta có thể dễ dàng điều chỉnh được tính chất quang, điện tử của vật liệu như mong muốn.

2. Điều kiện cộng hưởng được tìm thấy là tường minh và vị trí các đỉnh cộng hưởng electron-phonon dò tìm bằng quang học tuyến tính và phi tuyến dịch chuyển xanh khi điện trường tăng lên do đó độ rộng vạch phổ của chúng cũng tăng theo. Trái ngược lại, các đinh cộng hưởng và độ rộng vạch phổ tuyến tính và phi tuyến giảm xuống khi thông số $a$ tăng lên đối với giếng lượng tử thế hyperbol bất đối xứng đặc biệt; nhưng vị trí các đỉnh cộng hưởng đều không thay đổi khi nhiệt độ tăng.

3. Hệ số hấp thụ quang từ tuyến tính và phi tuyến biểu hiện dịch chuyển xanh và có độ lớn đinh cộng hưởng cũng như cường độ các đỉnh tăng lên cùng với sự gia tăng của từ trường; nhiệt độ đối với cả hai giếng thế tam giác và thế hyperbol bất đối xứng đặc biệt. Kết quả khảo sát cũng chứng minh rằng độ rộng vạch phổ của quá trình phát xạ phonon luôn luôn lớn hơn quá trình hấp thụ phonon cho cả quá trình tuyến tính lẫn phi tuyến.

4. Sự ảnh hưởng các đặc trưng của mô hình thế giam giữ vào tính chất quang, điện tử của vật liệu là rõ ràng. Kết quả thu được của luận án cũng chứng minh rằng công suất hoặc hệ số hấp thụ cũng như độ rộng vạch phổ tuyến tính và phi tuyến trong giếng lượng tử thế hyperbol bất đối xứng đặc biệt lớn hơn và đóng góp của đỉnh hấp thụ rõ ràng hơn so với thế tam giác khi có và không có từ trường (bao gồm các thế giam giữ truyền thống).

5. Luận án đã tìm được những quy luật mới về sự phụ thuộc của độ rộng vạch phổ tuyến tính và phi tuyến vào từ trường, thông số đặc trưng của giếng và nhiệt độ bằng biểu thức giải tích tường minh khi khảo sát hiệu ứng cộng hưởng từ-phonon trong giếng lượng tử thế hyperbol bất đối xứng đặc biệt và giếng lượng tử thế tam giác.

Tải tài liệu

1.

Luận án Nghiên cứu cộng hưởng electron-phonon và cộng hưởng từ-phonon trong giếng lượng tử

.zip
9.81 MB

Có thể bạn quan tâm