Luận án Nghiên cứu phát triển bộ lọc hốc cộng hưởng đồng trục siêu cao tần Lưu VIP

Luận án Nghiên cứu phát triển bộ lọc hốc cộng hưởng đồng trục siêu cao tần

Danh mục: , Người đăng: Ly Võ Thị Nhà xuất bản: Tác giả: Ngôn ngữ: Tiếng Việt, Tiếng Anh Định dạng: , Lượt xem: 3 lượt Lượt tải: 0 lượt
Tài liệu, tư liệu này được chúng tôi sưu tầm từ nhiều nguồn và được chia sẻ với mục đích tham khảo, các bạn đọc nghiên cứu và muốn trích lục lại nội dung xin hãy liên hệ Tác giả, bản quyền và nội dung tài liệu thuộc về Tác Giả & Cơ sở Giáo dục, Xin cảm ơn !

Nội dung

THÔNG TIN TÓM TẮT VỀ NHỮNG KẾT LUẬN MỚI CỦA LUẬN ÁN TIẾN SĨ

Tên luận án: Nghiên cứu phát triển bộ lọc hốc cộng hưởng đồng trục siêu cao tần

Ngành: Kỹ thuật Viễn thông

Mã số: 9520208

Nghiên cứu sinh: Trần Thị Thu Hường

Người hướng dẫn khoa học: GS.TS Vũ Văn Yêm

Cơ sở đào tạo: Trường Đại học Bách khoa Hà Nội

TÓM TẮT KẾT LUẬN MỚI CỦA LUẬN ÁN

1. Đề xuất cải tiến cấu trúc ghép giữa hai hốc cộng hưởng Thứ nhất là cải tiến đường ghép chính giữa hai hốc liền kề. Trong đó, thêm vào một tấm kim loại tại đáy của trụ cộng hưởng đồng trục nhằm làm tăng ghép từ trường giữa hai hốc cộng hưởng. Bởi vậy, độ rộng băng tần ghép tăng lên. Từ đó có thể cải thiện đặc tính về độ gợn trong dài thông, giảm bậc của bộ lọc. Thứ hai là cải tiến đường ghép chéo kiểu C giữa hai hốc cộng hưởng không liền kề. Cẩu trúc mới đề xuất thêm một ốc tỉnh chỉnh bằng kim loại đặt ở giữa miếng điện môi PTFE. Từ đó, một thành phần tụ điện biến dung phân bố mới xuất hiện, làm thay đổi sơ đồ tương đương của mạng ghép. Kết quả mô phòng chỉ ra rằng độ dốc của bộ lọc được cải thiện, tình chỉnh độ dốc bộ lọc tỉnh hơn.

2. Đề xuất cải tiến cấu trúc hốc cộng hưởng nhằm tăng độ chịu đựng công suất của bộ lọc. Mô hình gồm một khối nón cụt kim loại được đặt phía trên miệng của trụ cộng hưởng tròn. Bằng cách tối ưu góc nghiêng của khối nón, cường độ điện trường lớn nhất của hốc cộng hưởng giảm, độ chịu đựng công suất của bộ lọc tăng lên đáng kể. Đồng thời, đề xuất một quy trình thiết kế bộ lọc hốc cộng hưởng đảm bảo yêu cầu về công suất cho trước. Mô hình đã được áp dụng vào thiết kế, mô phỏng bộ lọc hốc của máy phát trạm 4G cải thiện xấp xỉ 300W, bộ lọc hốc cộng hưởng của máy phát trạm 5G cải thiện xấp xỉ 346W.

3. Hệ thống hóa và xây dựng các bước thực hiện thiết kế và chế tạo một bộ lọc hốc cộng hưởng siêu cao tần hoàn chỉnh Việc này giúp cho việc thiết kế, chế tạo bộ lọc được dễ dàng thực hiện và làm chủ công nghệ. Bộ song công đồng trục siêu cao tần Band 3 băng thông 75MHz được thiết kế, chế tạo thử nghiệm. Kết quả đánh giá cho thấy bộ Duplexer hoàn toàn đáp ứng được chỉ tiêu kỹ thuật đặt ra, hoàn toàn ứng dụng được trong trạm thu phát gốc của hệ thống di động 4G.

Tải tài liệu

1.

Luận án Nghiên cứu phát triển bộ lọc hốc cộng hưởng đồng trục siêu cao tần

.zip
8.14 MB

Có thể bạn quan tâm