THÔNG TIN TÓM TẮT VỀ NHỮNG KẾT LUẬN MỚI CỦA LUẬN ÁN TIẾN SĨ
Tên luận án: Nghiên cứu và chế tạo Pin mặt trời Cu(Zn,Sn) (S,Se)2 và Cu(In,Ga)(S,Se)2
Chuyên ngành: Vật liệu điện tử
Mã số: 62440123
Nghiên cứu sinh: Phạm Anh Tuân
Tập thể hướng dẫn:
1. TS. Nguyễn Duy Cường
2. TS. Nguyễn Việt Hưng
Cơ sở đào tạo: Viện tiên tiến Khoa học và Công nghệ (AIST), Trường ĐH Bách khoa HN.
TÓM TẮT KẾT LUẬN MỚI CỦA LUẬN ÁN
1. Nghiên cứu và chế tạo thành công lớp màng Mo dày khoảng 1000 nm bằng phún xạ, cầu trúc màng như sau: lớp dưới dày khoảng 100 nm (150 WDC, 13 mtorr); lớp giữa dày khoảng 700 nm (150 WDC, 13 mtorr); lớp trên dày khoảng 200 nm (80 WRF, 4 mtorr). Màng ổn định cả trước và sau khi Selen hoá ở nhiệt độ trên 500 °C và có điện trở bề mặt khoáng 1,2 2/, phù hợp cho các ứng dụng chế tạo Pin mặt trời CZTSSe và CIGSSe. Kết quả được công bố trong tạp chí ISI (DOI 10.1515/gps-2016-0021).
2. Nghiên cứu và chế tạo mảng AgNW/ZnO bằng bằng cách phù ZnO lên màng dây Bạc AgNW theo phương pháp ALD. Phương pháp này đã giảm điện trở bề mặt AgNW từ 20-40 xuống còn 7-15. Màng AgNW/ZnO thu được tốt nhất có điện trở bề 7-12 2/ và độ truyền qua vào khoảng 76% tại bước song 550 nm. Nghiên cứu này cho thấy màng AgN/ZnO phù hợp với ứng dụng là điện cực cửa số của Pin mặt trời CZTSSe và CIGSSE. Kết quả được công bố trong tạp chíISI (DOI 10.1088/0957-4484/27/33/335202).
3. Nghiên cứu và tổng hợp thành công hạt nano CZTS và CIGS bằng phương pháp phun nóng Hạt nano CZTS và CIGS: đơn pha, kích thước dưới 30 nm, tương đối đồng đều, phân tán tốt trong dung môi Hexanethiol và dễ tạo mảng bằng phương pháp in gạt. Nghiên cứu và chế tạo thành công lớp màng hấp thụ ánh sáng CZTSSe và CIGSSe từ màng hạt nano CZTS và CIGS bằng phương pháp Selen hoá. Màng CZTSSe và CIGSSe: đơn pha, dày từ 600 đến 1000 nm, độ kết tỉnh tốt. Hoàn thiện tế bào Pin mặt trời CZTSSe có cấu trúc Mo/CZTSSe/CdS/ZnO/ITO/Ag với hiệu suất n 3,0: Jsc 21,5 mA/cm², Voc 0,35 V; FF 40%; và tế bào Pin mặt trời CIGSSe có cấu trúc Mo/CIGSSe/CdS/ZnO/ITO/Ag với hiệu suất n = 4,2%, Jsc 27.36 mA/cm²: Voc 0,42: FF-36%. Các kết quả này được công bố trong: 01 tạp chí ISI (DOI: 10.1007/s11664-016-5236-4); 01 tạp chí khoa học trong nước, và báo cáo tại 03 hội nghị khoa học.
